MOS晶体管的栅极电流的“ Qg”表示Q ----表示电荷量，g -----表示栅极。
Qg是导通MOS晶体管所需的电荷量。
MOS晶体管的栅极特性等效于电容器，电容是电荷量Q，存储的能量以库仑表示。
MOS管的源极和漏极可以颠倒，它们都是在P型后挡板中形成的N型区域。
在大多数情况下，两个区域是相同的。如果两端都反向，则不会影响设备性能。
这样的设备被认为是对称的。
扩展数据MOS电容器的特殊特性用于形成MOS晶体管。
门，电介质和后挡板保持完整。
在门的两侧有两个其他区域被选择性掺杂。
一种源称为漏极，另一种称为漏极。
假设源极和后栅极都接地，则漏极连接到正电压。
只要从GATE到BACKGATE的电压低于阈值电压，就不会形成沟道。
由于漏极和后栅极之间的PN结极性相反，因此很少有电流从漏极流向后栅极。
参见：百科全书百度苔藓管
